ElectrónicaLibreXC. Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos-Boylestad y Nashelsky, décima edición.

Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos-Boylestad y Nashelsky, décima edición.

La edición anterior de Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos requirió varios cambios significativos en cuanto a pedagogía y contenido. Esta edición fue más selectiva en las adecuaciones que se debían hacer. Los títulos de los capítulos no se modificaron y se agregó un número limitado de secciones nuevas. Los cambios se efectuaron sobre todo para mejorar la forma en que se presenta el material más importante y para mantener actualizado el contenido. Hubo varias configuraciones determinantes de BJT y FET que se debían tratar más a fondo, re- calcando sus características terminales importantes. Este material adicional es la razón principal por la que se agregaron nuevas secciones al texto. Tales adiciones produjeron más ejemplos y una selección más amplia de los problemas. En esta edición se desarrollaron listas de objetivos para el material incluido en cada capítulo; además, al final de cada uno de ellos se incluye una lista de conclusiones, conceptos y ecuaciones importantes. Estos tres elementos resumen el material para una revisión y aplicación fu- turas. Se agregó una tabla de resumen al capítulo 4 de polarización de cd de los BJT, en concordancia con las provistas para el análisis de ca de los BJT y la investigación de ca y cd de los FET. Por otra parte, se utiliza el modelo r e del transistor BJT en las primeras secciones de cada capítulo dedicadas al tema, relegando el modelo de parámetro híbrido a secciones posteriores, como si fuera una entidad aparte. De esta manera se puede analizar el material por separado sin afectar el flujo general del que utiliza el modelo r e . El nivel de detalle provisto para el modelo de parámetros híbridos sigue siendo casi el mismo, aunque ahora aparece más adelante en el capítulo. En algunas áreas el contenido general en esencia no cambia, excepto por los comentarios adicionales y el reacomodo del texto. Por ejemplo, el apartado de respuesta en frecuencia (capítulo 9) ahora contiene comentarios adicionales sobre el uso de logaritmos y la realización del pro- ceso de normalización, así como la sección Análisis por computadora que se ha movido a otra parte del texto. El análisis de las configuraciones del par Darlington y realimentación se reescribió en su totalidad para que compaginara mejor con las primeras secciones del mismo capítulo. La cobertura de amplificadores operacionales y redes digitales se reescribió por completo para mejorar su presentación y para actualizarlos. Como en cada nueva edición, las hojas de componentes y datos incluidas en las descripciones se actualizaron a las versiones más recientes. Las fotografías y el material gráfico se reemplazaron, y se cambiaron los datos en los ejemplos para ajustarlos a las tendencias actuales. Los tres paquetes de software utilizados en ediciones anteriores del libro aparecen de nuevo en esta edición, pero con las versiones más recientes. Los detalles provistos con Mathcad 14, Cadence OrCAD 15.7 y Multisim 10, son iguales de nueva cuenta, así que no es necesario consultar otras referencias para aplicarlos a las configuraciones incluidas en el texto. Los comentarios recibidos de los usuarios actuales sugieren que la cobertura de este software fue una importante adición al texto hace algunos años. Nos complace el muy alto nivel de precisión del texto después de todas estas ediciones; en la última hubo muy pocos errores de impresión y de contenido que corregir. Entendemos cuán frustrantes pueden ser los errores en el texto o en la lista de soluciones para un estudiante que por primera vez maneja el material. Todas las sugerencias, críticas o correcciones son bienvenidas. Prometemos responder a todas ellas.

La edición anterior de Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos requirió varios cambios significativos en cuanto a pedagogía y contenido. Esta edición fue más selectiva en las adecuaciones que se debían hacer. Los títulos de los capítulos no se modificaron y se agregó un número limitado de secciones nuevas. Los cambios se efectuaron sobre todo para mejorar la forma en que se presenta el material más importante y para mantener actualizado el contenido. Hubo varias configuraciones determinantes de BJT y FET que se debían tratar más a fondo, re- calcando sus características terminales importantes. Este material adicional es la razón principal por la que se agregaron nuevas secciones al texto. Tales adiciones produjeron más ejemplos y una selección más amplia de los problemas. En esta edición se desarrollaron listas de objetivos para el material incluido en cada capítulo; además, al final de cada uno de ellos se incluye una lista de conclusiones, conceptos y ecuaciones importantes. Estos tres elementos resumen el material para una revisión y aplicación fu- turas. Se agregó una tabla de resumen al capítulo 4 de polarización de cd de los BJT, en concordancia con las provistas para el análisis de ca de los BJT y la investigación de ca y cd de los FET. Por otra parte, se utiliza el modelo r e del transistor BJT en las primeras secciones de cada capítulo dedicadas al tema, relegando el modelo de parámetro híbrido a secciones posteriores, como si fuera una entidad aparte. De esta manera se puede analizar el material por separado sin afectar el flujo general del que utiliza el modelo r e . El nivel de detalle provisto para el modelo de parámetros híbridos sigue siendo casi el mismo, aunque ahora aparece más adelante en el capítulo. En algunas áreas el contenido general en esencia no cambia, excepto por los comentarios adicionales y el reacomodo del texto. Por ejemplo, el apartado de respuesta en frecuencia (capítulo 9) ahora contiene comentarios adicionales sobre el uso de logaritmos y la realización del pro- ceso de normalización, así como la sección Análisis por computadora que se ha movido a otra parte del texto. El análisis de las configuraciones del par Darlington y realimentación se re- escribió en su totalidad para que compaginara mejor con las primeras secciones del mismo capítulo. La cobertura de amplificadores operacionales y redes digitales se reescribió por completo para mejorar su presentación y para actualizarlos. Como en cada nueva edición, las hojas de componentes y datos incluidas en las descripciones se actualizaron a las versiones más recientes. Las fotografías y el material gráfico se reemplazaron, y se cambiaron los datos en los ejemplos para ajustarlos a las tendencias actuales. Los tres paquetes de software utilizados en ediciones anteriores del libro aparecen de nuevo en esta edición, pero con las versiones más recientes. Los detalles provistos con Mathcad 14, Cadence OrCAD 15.7 y Multisim 10, son iguales de nueva cuenta, así que no es necesario consultar otras referencias para aplicarlos a las configuraciones incluidas en el texto. Los comentarios recibidos de los usuarios actuales sugieren que la cobertura de este software fue una importante adición al texto hace algunos años. Nos complace el muy alto nivel de precisión del texto después de todas estas ediciones; en la última hubo muy pocos errores de impresión y de contenido que corregir. Entendemos cuán frustrantes pueden ser los errores en el texto o en la lista de soluciones para un estudiante que por primera vez maneja el material. Todas las sugerencias, críticas o correcciones son bienvenidas. Prometemos responder a todas ellas.

Indice:

CAPÍTULO 1: Diodos semiconductores 1

• Introducción
• Materiales semiconductores: Ge, Si y GaAs
• Enlace covalente y materiales intrínsecos
• Niveles de energía
• Materiales extrínsecos: materiales tipo n y tipo p
• Diodo semiconductor
• Lo ideal vs. lo práctico
• Niveles de resistencia
• Circuitos equivalentes del diodo
• Capacitancias de difusión y transición
• Tiempo de recuperación en inversa
• Hojas de especificaciones de diodos
• Notación para diodos semiconductores
• Prueba de un diodo
• Diodos Zener
• Diodos emisores de luz
• Resumen
• Análisis por computadora

CAPÍTULO 2: Aplicaciones del diodo

• Introducción
• Análisis por medio de la recta de carga
• Configuraciones de diodos en serie
• Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo
• Compuertas AND/OR
• Entradas senoidales; rectificación de media onda
• Rectificación de onda completa
• Recortadores
• Sujetadores
• Diodos Zener
• Circuitos multiplicadores de voltaje
• Aplicaciones prácticas
• Resumen
• Análisis por computadora

CAPÍTULO 3: Transistores de unión bipolar

• Introducción
• Construcción de un transistor
• Operación del transistor
• Configuración en base común
• Acción amplificadora del transistor
• Configuración en emisor común
• Configuración en colector común
• Límites de operación
• Hojas de especificaciones del transitor
• Prueba de un transistor
• Encapsulado e identificación
• de las terminales de un transistor
• Resumen
• Análisis por computadora

CAPÍTULO 4: Polarización de cd de los BJT

• Introducción
• Punto de operación
• Configuración de polarización fija
• Configuración de polarización de emisor
• Configuración de polarización por medio
• del divisor de voltaje
• Configuración de realimentación del colector
• Configuración en emisor-seguidor
• Configuración en base común
• Diversas configuraciones de polarización
• Tabla de resumen
• Operaciones de diseño
• Circuitos de espejo de corriente
• Circuitos de fuente de corriente
• Transistores pnp
• Redes de conmutación con transistores
• Técnicas de solución de fallas
• Estabilización de la polarización
• Aplicaciones prácticas
• Resumen
• Análisis por computadora

CAPÍTULO 5: Análisis de ca de un BJT

• Introducción
• Amplificación en el dominio de ca
• Modelo de un transistor BJT
• Modelo r e del transistor
• Configuración de polarización fija en emisor común
• Polarización por medio del divisor de voltaje
• Configuración de polarización en emisor común
• Configuración en emisor seguidor
• Configuración en base común
• Configuración de realimentación del colector
• Configuración de realimentación de cd del colector
• Determinación de la ganancia de corriente
• Efecto de R L y R s
• Tablas de resumen
• Método de los sistemas de dos puertos (bipuertos)
• Sistemas en cascada
• Conexión Darlington
• Par de realimentación
• Modelo equivalente híbrido
• Circuito equivalente híbrido aproximado
• Modelo equivalente híbrido completo
• Modelo π híbrido 
• Variaciones de los parámetros del transistor 
• Solución de fallas 
• Aplicaciones prácticas 
• Resumen Análisis por computadora

CAPÍTULO 6: Transistores de efecto de campo

• Introducción
• Construcción y características de los JFET
• Características de transferencia
• Hojas de especificaciones (JFET)
• Instrumentación
• Relaciones importantes
• MOSFET tipo empobrecimiento
• MOSFET tipo enriquecimiento
• Manejo del MOSFET
• VMOS
• CMOS
• Los MESFET
• Tabla de resumen
• Resumen
• Análisis por computadora

CAPÍTULO 7: Polarización de los FET

• Introducción
• Configuración de polarización fija
• Configuración de autopolarización
• Polarización por medio del divisor de voltaje
• Configuración en compuerta común
• Caso especial: V GSQ 0 V
• MOSFET tipo empobrecimiento
• MOSFET tipo enriquecimiento
• Tabla de resumen
• Redes combinadas
• Diseño
• Solución de fallas
• Los FET de canal p
• Curva de polarización universal del JFET
• Aplicaciones prácticas
• Resumen
• Análisis por computadora

CAPÍTULO 8: Amplificadores con FET

• Introducción
• Modelo del JFET de señal pequeña
• Configuración de polarización fija
• Configuración de autopolarización
• Configuración del divisor de voltaje
• Configuración del JFET en compuerta común
• Configuración del JFET en fuente-seguidor (drenaje común)
• Los MOSFET tipo empobrecimiento
• Los MOSFET tipo enriquecimiento
• Configuración por realimentación de drenaje del E-MOSFET
• Configuración del divisor de voltaje del E-MOSFET
• Diseño de redes de amplificación con FET
• Tabla de resumen
• Efecto de R L y R sig
• Configuración en cascada
• Solución de fallas
• Aplicaciones prácticas
• Resumen
• Análisis por computadora

CAPÍTULO 9: Respuesta en frecuencia

• de los BJT y los JFET
• Introducción
• Logaritmos
• Decibeles
• Consideraciones generales sobre la frecuencia
• Proceso de normalización
• Análisis en baja frecuencia; gráfica de Bode
• Respuesta en baja frecuencia; amplificador con BJT
• Respuesta en baja frecuencia; amplificador con FET
• Capacitancia de efecto Miller
• Respuesta en alta frecuencia; amplificador con BJT
• Respuesta en alta frecuencia; amplificador con FET
• Efectos de las frecuencias asociadas a múltiples etapas
• Prueba con una onda cuadrada
• Resumen
• Análisis por computadora

CAPÍTULO 10: Amplificadores operacionales

• Introducción
• Circuito del amplificador diferencial
• Circuitos de los amplificadores
• diferenciales BiFET, BiMOS y CMOS
• Fundamentos de amplificadores operacionales
• Circuitos prácticos de amplificadores operacionales
• Especificaciones de amplificadores operacionales;
• parámetros de compensación de cd
• Especificaciones de amplificadores operacionales;
• parámetros de frecuencia
• Especificación de unidades de amplificadores operacionales
• Operación diferencial y en modo común
• Resumen
• Análisis por computadora

CAPÍTULO 11: Aplicaciones del amplificador operacional 641

• Multiplicador de ganancia constante
• Suma de voltajes
• Seguidor de voltaje o amplificador de acoplamiento
• Fuentes controladas
• Circuitos de instrumentación
• Filtros activos
• Resumen
• Análisis por computadora

CAPÍTULO 12: Amplificadores de potencia

• Introducción; definiciones y tipos de amplificador
• Amplificador clase a alimentado en serie
• Amplificador clase a acoplado por transformador
• Operación de un amplificador clase B
• Circuitos del amplificador clase B
• Distorsión de un amplificador
• Disipación de calor de un transistor de potencia
• Amplificadores clase C y clase D
• Resumen
• Análisis por computadora

CAPÍTULO 13: Circuitos integrados analógicos-digitales 711

• Introducción
• Operación de un comparador
• Convertidores digital a analógico
• Operación de un circuito temporizador
• Oscilador controlado por voltaje
• Malla de enganche de fase
• Circuitos de interfase
• Resumen
• Análisis por computadora

CAPÍTULO 14: Realimentación y circuitos osciladores

• Nociones de realimentación
• Tipos de conexiones de realimentación
• Circuitos realimentados prácticos
• Amplificador realimentado; consideraciones
• de fase y frecuencia
• Operación de un oscilador
• Oscilador de corrimiento de fase
• Oscilador de puente de Wien
• Circuito oscilador sintonizado
• Oscilador de cristal
• Oscilador de monounión
• Resumen
• Análisis por computadora

CAPÍTULO 15: Fuentes de alimentación

• (reguladores de voltaje)
• Introducción
• Consideraciones generales sobre filtros
• Filtro de capacitor
• Filtro RC
• Regulación de voltaje con transistores discretos
• Reguladores de voltaje de circuito integrado
• Aplicaciones prácticas
• Resumen
• Análisis por computadora

CAPÍTULO 16: Otros dispositivos de dos terminales

• Introducción
• Diodos de barrera Schottky (portadores calientes)
• Diodos varactores (Varicap)
• Diodos de potencia
• Diodos túnel
• Fotodiodos
• Celdas fotoconductoras
• Emisores infrarrojos
• Pantallas de cristal líquido
• Celdas solares
• Termistores
• Resumen

CAPÍTULO 17: Dispositivos pnpn y de otros tipos

• Introducción
• Rectificador controlado de silicio
• Operación básica de un rectificador controlado de silicio
• Características y valores nominales del SCR
• Construcción e identificación de las terminales del SCR
• Aplicaciones del SCR
• Interruptor controlado de silicio
• Interruptor de apagado por compuerta
• SCR activado por luz
• Diodo Shockley
• Diac
• Triac
• Transistor de monounión
• Fototransistores
• Aisladores optoelectrónicos
• Transistor de monounión programable
• Resumen

Apéndice A: Parámetros híbridos: determinación gráfica
y ecuaciones de conversión (exactas y aproximadas)

• Determinación gráfica de los parámetros h
• Ecuaciones de conversión exactas
• Ecuaciones de conversión aproximadas

Apéndice B: Factor de rizo y cálculos de voltaje

• Factor de rizo de un rectificador
• Voltaje de rizo del filtro de capacitor
• Relación de V cd y V m con el rizo r
• Relación de V r (RMS) y V m con el rizo r
• Relación que conecta el ángulo de conducción, el porcentaje de rizo, e I pico /I cd para circuitos de rectificador con filtro de capacitor

Apéndice C: Gráficas y tablas 881
Apéndice D: Soluciones a problemas impares seleccionados 883
Índice




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